jueves, 1 de junio de 2017

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En los últimos 40 años, la microelectrónica ha avanzado increíblemente gracias a las tecnologías del silicio y del denominado CMOS (semiconductor de óxido de metal complementario), dando lugar al desarrollo de la informática, los teléfonos inteligentes, las cámaras digitales compactas y de bajo coste, así como la mayoría de los aparatos electrónicos de los q dependemos hoy en día

Sin embargo, la diversificación de esta plataforma en aplicaciones q pueden ir más allá del mundo de los microcircuitos y las cámaras de luz visible se ha visto imposibilitada principalmente x la dificultad de combinar semiconductores diferentes al silicio con la tecnología CMOS

Pero ahora este obstáculo ha logrado ser superado. Investigadores del ICFO han demostrado x primera vez q se puede integrar de forma monolítica un circuito CMOS con el grafeno. El resultado es un sensor de imagen de alta resolución compuesto x cientos de miles de foto detectores basados en grafeno y puntos cuánticos (quantum dots)

La cámara digital creada con el sensor se ha desarrollado de tal manera q es simultáneamente muy sensible a la luz ultravioleta, visible e infrarroja, un logro nunca conseguido hasta ahora con los sensores de imagen existentes. Esta demostración de integración monolítica de grafeno con tecnología CMOS permite su utilización para una amplia gama de aplicaciones optoelectrónicas, tales como comunicaciones de datos ópticos de baja potencia así como sistemas de detección compactos y ultra sensibles

El estudio ha sido publicado en la revista científica Nature Photonics, y ha sido seleccionado como imagen de portada. El trabajo fue llevado a cabo x investigadores del ICFO dirigidos x los profesores ICREA Frank Koppens y Gerasimos Konstantatos, en colaboración con la empresa Graphenea

Los científicos fabricaron el sensor de imagen colocando puntos cuánticos coloidales de sulfuro de plomo (PbS) sobre grafeno de tipo CVD y, posteriormente, depositando este sistema híbrido encima de una oblea CMOS con las unidades o píxeles del sensor de imagen y el circuito de lectura integrado

Producir este sensor de imagen, basado en grafeno-puntos cuánticos y tecnología CMOS, no supuso llevar a cabo ningún procesado complejo de materiales ni implementar procesos de crecimiento laboriosos. Resultó fácil y barato fabricarlo a temperatura ambiente y bajo condiciones ambientales, lo q significa una disminución considerable de los costes de producción. Aún más, debido a sus propiedades, se puede integrar fácilmente en sustratos flexibles, así como en circuitos integrados de tipo CMOS

A su vez, un experto en grafeno y puntos cuánticos, señala q han diseñado los puntos cuánticos para extender al espectro infrarrojo cercano (1100-1900nm), a tal punto q pudieron detectar el resplandor nocturno de la atmósfera en un cielo oscuro y claro, lo cual permite visión nocturna pasiva

Este trabajo demuestra q esta clase de fototransistores puede ser el camino a seguir para sensores infrarrojos de bajo coste, pero de alta sensibilidad, q pueden operar a temperatura ambiente, y x tanto puede ser de enorme interés para un mercado de tecnologías en el infrarrojo q actualmente está sediento de tecnologías baratas


El desarrollo de este sensor de imagen monolítico basado en tecnología CMOS representa un hito para los sistemas de imágenes de banda ancha y hiperespectrales de bajo coste y alta resolución. Asegura q, en general, la tecnología grafeno+CMOS permitirá el desarrollo de una gran cantidad de aplicaciones, desde la seguridad y vigilancia, la visión nocturna pasiva así como las cámaras de vigilancia nocturna, la inspección de alimentos y productos farmacéuticos o incluso la vigilancia ambiental